Атомнинг ташқи электрон поғонасидаги электронларнинг ўзгариши - ионлар ҳосил бўлиши. Ион боғланиш.
Qisqacha mazmun mavjud emas.
Сиртдан ион бомбардимони таъсирида чанглатилган кластерли ионларнинг фундаментал хоссалари
Ushbu doktorlik dissertatsiyasi materiali bo'lib, unda materiallar yuzasini ionlar bilan bombardimon qilish orqali hosil bo'ladigan klastyerlar va ularning xossalari, ya'ni klasterlarning dissotsiatsiya energiyalari, parchalanish tezligi doimiylari va o'rtacha yashash vaqtlarini aniqlash uchun yangi usullar ishlab chiqilgan va tadqiq etilgan. Tadqiqot natijalari umumiy klasterlar fizikasi, kimyosi va materialshunoslik sohalaridagi nazariy va amaliy muammolarni yechishda muhim ahamiyat kasb etadi.
Ион бомбардимон усули билан Мо ва Si сиртида ва сирт ости соҳаларида ҳосил қилинган наноўлчамли тузилмаларнинг шаклланиш қонуниятлари ва электрон хусусиятлари
Ushbu dissertatsiya ishi fizika-matematika fanlari doktori (PhD) dissertatsiyasi boʻlib, materiallarning sirt tuzilishini atom bombardimon qilish usuli bilan oʻrganishga bagʻishlangan. Unda metall va yarimoʻtkazgichlar (Mo va Si) sirtlarida nanooʻlchamli tuzilmalar hosil qilish qonuniyatlari va elektron xususiyatlari tadqiq etilgan.
Қаттиқ жисмлар сиртини ион сочилиш спектроскопияси услуби ёрдамида тадқиқ қилиш
Ushbu kitob qattiq jismlar sirtini ion nurlanish spektroskopiyasi yordamida tadqiq qilish usullarini o'rganadi. Unda ionlarning qattiq jismlar sirtidan sochilish jarayonlari, nazariy asoslari va turli materiallar sirtini tadqiq qilishda qo'llanilishi batafsil yoritilgan. Kitobda, shuningdek, sirt nuqsonlarining ion sochilishiga ta'siri, sirt dinamikasi va kompyuterda modellashtirish usullari ham muhokama qilinadi.
Nb, Si, CdTe ва CaF 2 кристалларининг сирт ости қатламларида ион бомбардимон усулида ҳосил қилинган наноўлчамли структуралар шаклланишининг физик-технологик асослари ва электрон-оптик хусусиятлари
Ushbu doktorlik (DSc) dissertatsiyasi ilmiy ishida metallar, yarim o'tkazgichlar va dielektrik materiallar yuzasida va yaqin yuzaki qatlamlarda ion bombardimonlash va keyingi termik ishlov berish orqali nanostrukturalar va nanoqavatlar hosil bo'lishining fiziko-texnologik asoslari hamda ularning elektron-optik xususiyatlari tadqiq etiladi. Tadqiqot natijalari asosida yangi nanostrukturalar hosil qilishning optimal sharoitlari aniqlangan va amaliy tavsiyalar ishlab chiqilgan.
Ион-имплантация қилинган кремний ва юпқа силицид плёнкаларда электронла рнинг плазмали тебранишларини уйғониши
Ushbu kitobda silikonning ion implantatsiyasi jarayoni va natijasida hosil bo'ladigan silitsid plyonkalarda elektronlarning plazma tebranishlari hamda ushbu holatlarni nazariy va eksperimental tahlil qilish masalasi ko'rib chiqilgan. Tadqiqotda ion implantatsiyasi natijasida silikon yuzasining o'zgarishlari, jumladan, uning elektr va kristall tuzilishi, shuningdek, plazmonlarning energiyasi va chastotasi o'zgarishlari o'rganilgan. Yangi vakuumli tozalash usuli taklif qilingan hamda turli usullar yordamida olingan natijalarni tahlil qilish asosida nazariy modellar ishlab chiqilgan.
ИОН-атом тўқнашувларидаги электрон жараёнлар ва уларнинг углерод наноструктуралари физикасида қўлланилиши
Ushbu dissertatsiya ishi 1996 yildan boshlab jahonning yetakchi ilmiy markazlarida intensiv o'rganilayotgan, ayniqsa atom va molekulalar to'qnashuvlarida hamda uglerod nano-strukturalar (grafen, fullerene, karbon nanotrubkalar) fizikasi sohasida hozirgi kunda juda muhim ahamiyat kasb etayotgan mavzularni o'z ichiga oladi. Dissertatsiyada atom va molekulyar tizimlar, uglerod nano-strukturalari, molekulalar, atomlar va nano-zarralar bilan sodir bo'ladigan noelastik elektron jarayonlari, shuningdek atomlardagi elektronlar ko'p zarrali to'qnashuvlarida va tashqi maydonlar ta'sirida yuzaga keladigan elektronning o'tishlari, o'rganilgan. Mazkur tadqiqot natijalari keng qamrovli bo'lib, ularning ilmiy-amaliy ahamiyati yuqoridir. Tadqiqot jahon ilm-fanida hali to'liq o'rganilmagan va dolzarb muammolarni yechishga qaratilgan.
ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ РОР ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ АТОМОВ Fe В Si
Ushbu maqolada "Rutherford backscattering" (RBS) usuli yordamida Si (111) kristalli asosidagi kremniyga Fe ionlarini implantatsiya qilish natijasida Fe atomlarining taqsimlanish profillari o'rganilgan. Tadqiqotda Fe atomlarining taqsimlanishiga implantatsiya dozasi va termik ishlov berish haroratining ta'siri ko'rib chiqilgan. Shuningdek, termik ishlov berish Fe va boshqa aralashmalar, xususan kislorodning taqsimlanishiga qanday ta'sir qilishi o'rganilgan. RBS usulining dopant aralashmalarining konsentratsion taqsimlanishi va aralashmalar orasidagi o'zaro ta'sirni tahlil qilishdagi imkoniyatlari ham ko'rsatib o'tilgan.
ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ РОР ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ АТОМОВ Fe В Si
Qisqacha mazmun mavjud emas.
ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ РОР ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ АТОМОВ Fe В Si
Ushbu maqolada kremniy (Si) ga Fe (temir) ionlarini implantatsiya qilish jarayoni va undan keyingi termal ishlov berishning ta'siri Rutherford Backscattering (RBS) usuli yordamida o'rganilgan. Tadqiqotda Fe atomlarining taqsimlanish profillari, ularning konsentratsiyasi, irradiatsiya dozasi va ishlov berish haroratining ta'siri tahlil qilingan. Shuningdek, boshqa aralashmalar, xususan kislorodning taqsimlanishi va ularning o'zaro ta'siri ham ko'rib chiqilgan. RBS usulining qatlamlar bo'ylab aralashmalarning konsentratsiyasini aniqlashdagi samaradorligi ta'kidlangan.