Диэлектрикдаги ва диэлектрик – яримўтказгич чегарасидаги заряд нотекис тақсимотининг МДЯ транзистор характеристикаларига таъсирини моделлаштириш
Ushbu doktorlik dissertatsiyasi "Dielektrikdagi va dielektrik – yarim o'tkazgich chegarasidagi zaryad notekis taqsimotining MDM tranzistorlariga ta'sirini modellashtirish" mavzusiga bag'ishlangan bo'lib, unda nanometrlik o'lchamdagi metall-dielektrik-yarim o'tkazgich (MDM) tranzistorlarining xarakteristikalariga zaryadning notekis taqsimlanishining ta'siri tadqiq etilgan. Tadqiqotda MDM tranzistorlarning o'tkazuvchanlik va sig'im-kuchlanish xarakteristikalariga dielektrik qatlamida va dielektrik-yarim o'tkazgich chegarasida joylashgan zaryadlarning ta'siri modellashtirilgan. Tadqiqot natijalari, zaryadning joylashuvi va miqdoriga qarab tranzistorning chegara kuchlanishi, o'tkazuvchanligi va sig'imiga ta'sirini aniqlashga yordam beradi. Ishda zamonaviy yarim o'tkazgich texnologiyalarini rivojlantirish uchun muhim bo'lgan natijalarga erishilgan.