ОПТОЭЛЕКТРОНИКА ФАНИ БЎЙИЧА ЛАБОРАТОРИЯ ҚУРИЛМАЛАРИДАН ФОЙДАЛАНИШ ИМКОНИЯТЛАРИ
Ushbu maqola kremniy (Si) yarimo'tkazgichlarida binarniy klasterlarning shakllanishi va ularning fotoelektr xossalarini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda, 3 va 5 guruhlarning elementlari (masalan, Ga, Sb) va 2 va 6 guruhlarning elementlari (masalan, Zn, Se, Ni, S) bilan birgalikda kremniy klasterlarini hosil qilish usullari, jumladan, past haroratli legirlash usuli ko'rib chiqiladi. Binarniy klasterlarning paydo bo'lish sharoitlari, elektroan kimyoviy va diffuzion xususiyatlar asosida aniqlanadi. Maqolada, bunday klasterlar kremniy tuzilishini buzmasligi, qo'shimcha elektronlar yoki kovaklarni hosil qilmasligi va natijada Si₂Ga-Sb+, Si₂Ni-Se++, Si₂Zn-Se++ kabi neytral molekulalar hosil bo'lishi ta'kidlanadi. Binarniy klasterlar bilan boyitilgan kremniyning keng spektrli yorug'likni yutish qobiliyati o'rganiladi, bu esa yuqori sezuvchanlikka ega bo'lgan fotopriyomniklar va fotoenergetika sohasida yangi imkoniyatlar yaratadi.