Bosh sahifa>Qidiruv natijalari

🔍

Турли табиатли материалларнинг иккиламчи манфий ион эмиссиясини ишқорий металлар ионлари имплантацияси ва қиздириш билан стимуллаштириш

Ushbu avtoreferat O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti tomonidan tayyorlangan va doktorant Ziyadulla Ergashovich Muxtarovning fizika-matematika fanlari bo‘yicha falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi hisoblanadi. Tadqiqotda turli tabiatli materiallarning ikkilamchi manfiy ion emissiyasini ishqoriy metallar ionlari implantatsiyasi va qizdirish bilan stimullashtirish usuli o‘rganilgan. Ushbu usulning samaradorligi, qo‘llanilishi va ilmiy yangiligi asoslab berilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

ВЛИЯНИЯ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Со + НА СОСТАВ И СВОЙСТВА СВОБОДНЫХ СЛОИСТЫХ СТРУКТУР Si-Си

Ushbu kitobda "Yettinchi Xalqaro Fizik Elektronika Konferentsiyasi"da taqdim etilgan ma'ruzalar to'plami keltirilgan. Konferensiya Toshkentda 2018-yilda bo'lib o'tgan. Kitobda Si-Cu (100) geterotugunlarining tarkibi va xossalari, kobalt ionlari bilan nurlantirishning ta'siri, Si-Cu tuzilmalarida Cu atomlarining diffuziya chuqurligi kabi masalalar yoritilgan. Mualliflar Si-Cu qatlamlariga Co+ ionlari bilan nurlantirishdan so'ng hosil bo'ladigan CoSi2 qatlamlari haqida tadqiqot natijalarini taqdim etishadi. Ma'lumotlar jadval ko'rinishida, ya'ni nurlantirishdan oldingi va keyingi davrlarda o'lchangan ba'zi fizik parametrlar keltirilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 78.0%

ВЛИЯНИЕ ТЕРМООТЖИГА НА СОСТОЯНИЕ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ АТОМОВ Mn В Si

Ushbu tadqiqot maqolasi kremniy (Si) kristalliga ionli implantatsiya qilingan marganets (Mn) atomlarining holati va ularning termik ishlov berish ta'sirini o'rganadi. Tadqiqotda Rutherford orqaga sochilish (ROP) usuli yordamida Mn va boshqa aralashmalar, xususan, kislorodning konsentratsiyasini chuqurlik bo'yicha taqsimlanishi o'rganildi. Turli implantatsiya dozalari va termik ishlov berish haroratlarining ta'siri tahlil qilindi. Natijalar shuni ko'rsatdiki, marganets va kislorodning taqsimlanishi bir-biriga bog'liq bo'lib, marganetsning konsentratsiyasi yuqori bo'lgan joylarda kislorod kamayadi va aksincha. Shuningdek, ROP usulining aralashmalar konsentratsiyasini va ularning o'zaro ta'sirini aniqlashdagi samaradorligi ta'kidlangan.

🔑 Kalit soʻz🎯 77.7%

ВЛИЯНИЕ ТЕРМООТЖИГА НА СОСТОЯНИЕ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ АТОМОВ Mn В Si

Ushbu maqola kremniyga Mn ionlarini implantatsiya qilish va keyinchalik termik ishlov berishning ta'sirini o'rganish natijalarini keltiradi. Tadqiqotda Ruterfordning orqaga sochilish (POP) usulidan foydalanilgan. Tadqiqotlar shuni ko'rsatdiki, Mn implantatsiyasi va termik ishlov berish kremniy kristall panjarasidagi Mn va kislorodning tarqalishiga ta'sir qiladi. Aniqlanishicha, Mn atomlari kremniy atomlari bilan o'zaro ta'sirlashib, ularning joylashuvini o'zgartirishi mumkin. Termik ishlov berish esa bu ta'sirni kuchaytiradi va Mn ning kristall panjarasidagi tarqalishini o'zgartiradi. Ushbu tadqiqot natijalari yarim o'tkazgich texnologiyasida qo'llaniladigan Mn implantatsiyasi va termik ishlov berish jarayonlarini tushunish uchun muhim ahamiyatga ega.

🔑 Kalit soʻz🎯 77.7%

ВЛИЯНИЕ ТЕРМООТЖИГА НА СОСТОЯНИЕ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ АТОМОВ Mn В Si

Mazkur maqolada kremniy (Si) kristallariga ion usuli yordamida marganes (Mn) implantatsiya qilinganidan so'ng uning holati va taqsimlanishiga termik ishlov berishning ta'siri o'rganilgan. Rutherford orqali qaytib sochilish (ROS) usulidan foydalanib, turli implantatsiya dozalari va har xil haroratdagi termik ishlovlar natijasida marganes hamda boshqa aralashmalar (ayniqsa kislorod)ning konsentratsiya profillari aniqlangan. Tadqiqot natijalari shuni ko'rsatadiki, termik ishlov, xususan yuqori haroratlarda (900°C) marganesning taqsimlanishida sezilarli o'zgarishlarga olib keladi, uning maksimal konsentratsiyasi chuqurlikda joylashadi va umumiy miqdori kamayadi. Shuningdek, marganes va kislorodning o'zaro ta'siri ham o'riganilgan, ya'ni marganesning ko'paygan joylarida kislorodning kamayishi kuzatilgan. Maqolada ROS usulining aralashmalar kontsentratsiyasini aniqlashdagi samaradorligi ta'kidlangan.

🔑 Kalit soʻz🎯 77.7%

Penetration of impurities into the crystal lattice of solid bodies with the help of ion implantation and bombardment

Ushbu maqola qattiq jismlar, xususan metall materiallaridan tayyorlangan qattiq qotishmalarning shakllanishini tahlil qiladi. Jarayon vakuum sharoitida, gaz ionlari bilan bir vaqtda termal bug'lanish orqali, boshqa metall materialidan iborat filmlar yoki qoplamalar jarayonida amalga oshiriladi. Ionlarning navbatma-navbat bombardimonlanishi natijasida radiatsiyaviy diffuziya va atomlarning interstellar aralashuvi sodir bo'ladi. Tadqiqot natijasida qattiq jismlarning kristall panjarasiga tashqi moddalar kirib borishining turli mexanizmlari, jumladan, ion implantatsiyasi va bombardimonlanishi orqali diffuziyani tezlashtirish usullari yoritilgan. Ushbu jarayonlar natijasida hosil bo'ladigan nuqsonlar, kaskadlar va ularning materialning mexanik va fizik-kimyoviy xususiyatlariga ta'siri batafsil ko'rib chiqilgan. maqola ion implantatsiyasi va bombardimonlanishi orqali yangi materiallarni yaratish va ularning xususiyatlarini yaxshilash imkoniyatlarini ko'rsatadi.

🔑 Kalit soʻz🎯 77.7%

Влияние ионной имплантации на состояние поверхности пленок GaAs

Ushbu kitob GaAs (galliy arsenid) plenkalarining yuzasiga ion implantatsiyasining ta'sirini o'rganadi. Unda turli usullar, jumladan, tez elektron diffraktsiyasi (DHE), skanerlovchi elektron mikroskopiyasi (SEM) va energiyaga bog'liq koeffitsientlarni o'lchash orqali past energiyali ion implantatsiyasining topografik va kristall tuzilishiga ta'siri tahlil qilinadi. Mualliflar GaAs plenkalarining yuzasini tozalash uchun optimal haroratni, ion implantatsiyasining ta'sirini va keyingi tavlanishning kristall tuzilishiga ta'sirini o'rganadilar. Bundan tashqari, kitobda Ba, Ga va As atomlaridan tashkil topgan uch komponentli birikmalarning shakllanishi batafsil bayon etilgan. Mualliflar yuzani tozalash uchun optimal haroratni aniqlaydilar va aralashtirish, klaster shakllanishi va epitasial o'sish kabi jarayonlarni o'rganadilar. Ushbu kitob yarimo'tkazgichli materiallarning yuzasi bilan ishlash uchun uslublar bilan qiziquvchilarga mos keladi.

🔑 Kalit soʻz🎯 77.7%

Исследование влияния термического и лазерного отжига на профили распределения атомов в si (111), имплантированном ионами p+ и b+

Ushbu maqola GaAs materialining qalinligi 10-12 nm bo'lgan va markazida Ga0.5Na0.5As bo'lgan uch qavatli nanosistemaning (GaAs-Ga0.5Na0.5As-GaAs) tuzilishi va kimyoviy tarkibini o'rganadi. Na ionlarining implantatsiyasi va keyingi termik ishlov berish natijasida yuzaga kelgan bu o'zgarishlar oje-elektron spektroskopiyasi va tez elektron diffraktsiyasi usullari yordamida tadqiq etilgan. Maqolada Na ionlarining implantatsiya energiyasi va dozasi qanchalik muhimligi, ular qanday qilib materialning tuzilishi va atom konsentratsiyasiga ta'sir qilishi batafsil ko'rsatilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 77.4%

Исследование влияния термического и лазерного отжига на профили распределения атомов в si (111), имплантированном ионами p+ и b+

Ushbu tadqiqot maqolasi GaAs materiali yuzasiga natriy ionlari (Na⁺) bilan lazerli implantatsiya qilish orqali hosil bo'lgan nanoqavatlar strukturasini va tarkibini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda oje-elektron spektroskopiyasi va tez elektronlar diffraktsiyasi usullaridan foydalanilgan. Natriy ionlarini 20 keV energiyada implantatsiya qilish natijasida GaAs yuzasida 10-12 nm qalinlikdagi uch qavatli GaAs-Ga0.5Na0.5As-GaAs tizimi hosil bo'lishi aniqlangan. Shuningdek, bu qavatlar orasida qalinligi 10-15 nm bo'lgan Ga1–xNaxAs (x ≈ 0–0.5) tipidagi o'tish qatlamlari shakllanishi ko'rsatilgan. Tadqiqotda har xil dozalarda (D=10¹⁴-10¹⁷ sm⁻²) natriy ionlari implantatsiyasi natijasida elementar tarkibning o'zgarishi va yuzaki qatlamning buzilishi o'rganilgan. Optimal termik ishlov berish orqali natriyning chuqurlik bo'yicha taqsimlanishini nazorat qilish mumkinligi ham ko'rsatib o'tilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 77.4%

Изучение образования скрытых слоев CoSi2 при высокоэнергетической имплантации ионов Co+ в Si

Ushbu kitob yuqori energiyali Co+ ionlarini Si ga implantatsiya qilish orqali hosil qilingan CoSi2 yashirin qatlamlarining shakllanishini o'rganishga bag'ishlangan. Kitobda epitaksiya usullari, ion implantatsiyasi uskunalari, kobalt ionlarining kremniydagi tarqalish profillari va CoSi2 qatlamlarining hosil bo'lish jarayonlari batafsil ko'rib chiqilgan. Shuningdek, xavfsizlik, iqtisodiy tahlil va adabiyotlar ro'yxati ham keltirilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 77.3%