Bosh sahifa>Qidiruv natijalari
🔍

ВЛИЯНИЯ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Со + НА СОСТАВ И СВОЙСТВА СВОБОДНЫХ СЛОИСТЫХ СТРУКТУР Si-Си

Ushbu kitobda "Yettinchi Xalqaro Fizik Elektronika Konferentsiyasi"da taqdim etilgan ma'ruzalar to'plami keltirilgan. Konferensiya Toshkentda 2018-yilda bo'lib o'tgan. Kitobda Si-Cu (100) geterotugunlarining tarkibi va xossalari, kobalt ionlari bilan nurlantirishning ta'siri, Si-Cu tuzilmalarida Cu atomlarining diffuziya chuqurligi kabi masalalar yoritilgan. Mualliflar Si-Cu qatlamlariga Co+ ionlari bilan nurlantirishdan so'ng hosil bo'ladigan CoSi2 qatlamlari haqida tadqiqot natijalarini taqdim etishadi. Ma'lumotlar jadval ko'rinishida, ya'ni nurlantirishdan oldingi va keyingi davrlarda o'lchangan ba'zi fizik parametrlar keltirilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 76.7%

Влияние ионной имплантации на состояние поверхности пленок GaAs

Ushbu kitob GaAs (galliy arsenid) plenkalarining yuzasiga ion implantatsiyasining ta'sirini o'rganadi. Unda turli usullar, jumladan, tez elektron diffraktsiyasi (DHE), skanerlovchi elektron mikroskopiyasi (SEM) va energiyaga bog'liq koeffitsientlarni o'lchash orqali past energiyali ion implantatsiyasining topografik va kristall tuzilishiga ta'siri tahlil qilinadi. Mualliflar GaAs plenkalarining yuzasini tozalash uchun optimal haroratni, ion implantatsiyasining ta'sirini va keyingi tavlanishning kristall tuzilishiga ta'sirini o'rganadilar. Bundan tashqari, kitobda Ba, Ga va As atomlaridan tashkil topgan uch komponentli birikmalarning shakllanishi batafsil bayon etilgan. Mualliflar yuzani tozalash uchun optimal haroratni aniqlaydilar va aralashtirish, klaster shakllanishi va epitasial o'sish kabi jarayonlarni o'rganadilar. Ushbu kitob yarimo'tkazgichli materiallarning yuzasi bilan ishlash uchun uslublar bilan qiziquvchilarga mos keladi.

🔑 Kalit soʻz🎯 76.7%

Penetration of impurities into the crystal lattice of solid bodies with the help of ion implantation and bombardment

Ushbu maqola qattiq jismlar, xususan metall materiallaridan tayyorlangan qattiq qotishmalarning shakllanishini tahlil qiladi. Jarayon vakuum sharoitida, gaz ionlari bilan bir vaqtda termal bug'lanish orqali, boshqa metall materialidan iborat filmlar yoki qoplamalar jarayonida amalga oshiriladi. Ionlarning navbatma-navbat bombardimonlanishi natijasida radiatsiyaviy diffuziya va atomlarning interstellar aralashuvi sodir bo'ladi. Tadqiqot natijasida qattiq jismlarning kristall panjarasiga tashqi moddalar kirib borishining turli mexanizmlari, jumladan, ion implantatsiyasi va bombardimonlanishi orqali diffuziyani tezlashtirish usullari yoritilgan. Ushbu jarayonlar natijasida hosil bo'ladigan nuqsonlar, kaskadlar va ularning materialning mexanik va fizik-kimyoviy xususiyatlariga ta'siri batafsil ko'rib chiqilgan. maqola ion implantatsiyasi va bombardimonlanishi orqali yangi materiallarni yaratish va ularning xususiyatlarini yaxshilash imkoniyatlarini ko'rsatadi.

🔑 Kalit soʻz🎯 76.5%

Исследование влияния термического и лазерного отжига на профили распределения атомов в si (111), имплантированном ионами p+ и b+

Ushbu tadqiqot maqolasi GaAs materiali yuzasiga natriy ionlari (Na⁺) bilan lazerli implantatsiya qilish orqali hosil bo'lgan nanoqavatlar strukturasini va tarkibini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda oje-elektron spektroskopiyasi va tez elektronlar diffraktsiyasi usullaridan foydalanilgan. Natriy ionlarini 20 keV energiyada implantatsiya qilish natijasida GaAs yuzasida 10-12 nm qalinlikdagi uch qavatli GaAs-Ga0.5Na0.5As-GaAs tizimi hosil bo'lishi aniqlangan. Shuningdek, bu qavatlar orasida qalinligi 10-15 nm bo'lgan Ga1–xNaxAs (x ≈ 0–0.5) tipidagi o'tish qatlamlari shakllanishi ko'rsatilgan. Tadqiqotda har xil dozalarda (D=10¹⁴-10¹⁷ sm⁻²) natriy ionlari implantatsiyasi natijasida elementar tarkibning o'zgarishi va yuzaki qatlamning buzilishi o'rganilgan. Optimal termik ishlov berish orqali natriyning chuqurlik bo'yicha taqsimlanishini nazorat qilish mumkinligi ham ko'rsatib o'tilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 75.8%

Исследование влияния термического и лазерного отжига на профили распределения атомов в si (111), имплантированном ионами p+ и b+

Ushbu maqola GaAs materialining qalinligi 10-12 nm bo'lgan va markazida Ga0.5Na0.5As bo'lgan uch qavatli nanosistemaning (GaAs-Ga0.5Na0.5As-GaAs) tuzilishi va kimyoviy tarkibini o'rganadi. Na ionlarining implantatsiyasi va keyingi termik ishlov berish natijasida yuzaga kelgan bu o'zgarishlar oje-elektron spektroskopiyasi va tez elektron diffraktsiyasi usullari yordamida tadqiq etilgan. Maqolada Na ionlarining implantatsiya energiyasi va dozasi qanchalik muhimligi, ular qanday qilib materialning tuzilishi va atom konsentratsiyasiga ta'sir qilishi batafsil ko'rsatilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 75.8%

ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ РОР ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ АТОМОВ Fe В Si

Ushbu maqolada "Rutherford backscattering" (RBS) usuli yordamida Si (111) kristalli asosidagi kremniyga Fe ionlarini implantatsiya qilish natijasida Fe atomlarining taqsimlanish profillari o'rganilgan. Tadqiqotda Fe atomlarining taqsimlanishiga implantatsiya dozasi va termik ishlov berish haroratining ta'siri ko'rib chiqilgan. Shuningdek, termik ishlov berish Fe va boshqa aralashmalar, xususan kislorodning taqsimlanishiga qanday ta'sir qilishi o'rganilgan. RBS usulining dopant aralashmalarining konsentratsion taqsimlanishi va aralashmalar orasidagi o'zaro ta'sirni tahlil qilishdagi imkoniyatlari ham ko'rsatib o'tilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 75.8%

ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ РОР ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ АТОМОВ Fe В Si

Ushbu maqolada kremniy (Si) ga Fe (temir) ionlarini implantatsiya qilish jarayoni va undan keyingi termal ishlov berishning ta'siri Rutherford Backscattering (RBS) usuli yordamida o'rganilgan. Tadqiqotda Fe atomlarining taqsimlanish profillari, ularning konsentratsiyasi, irradiatsiya dozasi va ishlov berish haroratining ta'siri tahlil qilingan. Shuningdek, boshqa aralashmalar, xususan kislorodning taqsimlanishi va ularning o'zaro ta'siri ham ko'rib chiqilgan. RBS usulining qatlamlar bo'ylab aralashmalarning konsentratsiyasini aniqlashdagi samaradorligi ta'kidlangan.

🔑 Kalit soʻz🎯 75.8%

ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ РОР ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ АТОМОВ Fe В Si

Ushbu maqola Rutherford backscattering (RSP) usuli yordamida kremniyga (Si) Fe atomlarini ion bilan implantatsiya qilish natijasida hosil bo'lgan taqsimot profillarini o'rganadi. Tadqiqotda implantatsiya dozasi va termik ishlov berish haroratining Fe va boshqa aralashmalar, xususan kislorodning taqsimlanishiga ta'siri ham o'rganilgan. RSP usulining dozalovchi aralashmalarning konsentratsiyasini va aralashmalar o'zaro ta'sirini tahlil qilishdagi imkoniyatlari ham ko'rsatib berilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 75.8%