Ushbu maqolada n-GaP yarim o'tkazgichining o'tkazuvchanlik zonasidagi X₃ va X₁ kichik zonalari uchun elektronlarning o'lchamlilik jihatidan kvantlangan energiya spektri va to'lqin funksiyalari hisoblab chiqilgan. Chiqish punktlarida joylashgan X zonasi uchun samarali geteromagnitlar tasvirlangan. Tadqiqotlar ushbu yarim o'tkazgichlar uchun chuqur va keng o'lchamlilik kvantlanishini tahlil qilishga bag'ishlangan.
Ushbu dissertatsiya
Ushbu dissertatsiya Kamolov Amangeldi Bazarbayevich tomonidan yaratilgan boʻlib, metall-GaAs (GaP, InP) kontaktlarining fizik asoslariga bagʻishlangan. Unda toza metallar va amorf TiBx plyonkalari yordamida yaratilgan Schottki toʻsiqli qurilmalarning barqarorligini oshirish mexanizmlari oʻrganilgan. Dissertatsiyada gamma-radiatsiya, mikrotoʻlqinli nurlanish va tezkor termik ishlov berishning taʼsiri tahlil qilingan, shuningdek, yangi texnologik yondashuvlar, xususan, InPning gʻovakli substratlarida suyuq fazali epitaksiya usuli bilan oʻstirilgan avtoepitaksial plyonkalari ishlab chiqilgan.
Maqolada n-GaP-n+-(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y geterostrukturalarining elektroluminessensiyasi bo'yicha olib borilgan tadqiqotlarning eksperimental natijalari keltirilgan. Asosiy komponent sifatida keng zonali yarimo'tkazgich ZnSe tanlangan. Ushbu materiallarning spektral diapazoni va xususiyatlari ko'rib chiqilgan. Shuningdek, turli xil qo'llanilish sohalari, jumladan, infraqizil va ko'rinadigan spektr sohalarida ishlaydigan optoelektron qurilmalar ishlab chiqish uchun potentsial imkoniyatlari o'rganilgan.
Ushbu avtoreferat Oʻzbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi Fizika-texnika instituti va Muhammad al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnologiyalari universiteti tomonidan tayyorlangan hamda GaxIn₁-xP/GaP geterotuzilmalarda hamda ular asosidagi quyosh energiyasini qabul qiluvchi tuzilmalarda quyosh nurlarining ta'sirini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqot quyosh energiyasini elektr energiyasiga aylantirishning samaradorligini oshirishga qaratilgan bo'lib, unda turli qatlamli quyosh elementlari va ularning fotoelektr xususiyatlari tahlil qilingan.
Ushbu dissertatsiya X.U. Usmonovning
Ushbu avtoreferat electron va optik xususiyatlari o'rganilgan, ikki komponentli materiallardan (PdBa, TiN, GaAs, GaP va CaF2) olingan nanostrukturalar haqida ma'lumot beradi. Ishda materiallarning qismi, kristall tuzilishi, elektron tuzilishi va ularning xususiyatlari ion va elektron bombardimoni, shuningdek lazer nurlanishi va termal qizdirish yordamida o'rganilgan.
Ushbu hujjat fizika-matematika fanlari doktori ilmiy darajasini olish uchun taqdim etilgan Кутлиев Учкун Отобоевиichning dissertatsiyasining avtoreferati hisoblanadi. Dissertatsiya qattiq jismlar sirtida ion nur bilan bombardimon qilish natijasida sodir bo'ladigan ionlarning sochilish va klasterli changlatish jarayonlarini kompyuterda modellashtirishga bag'ishlangan. Tadqiqot monokristallar GaP va muz kristallari misolida olib borilgan.
Ushbu nashrning 2016-yil, 1-soni O‘zbekiston Respublikasi Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi tomonidan tasdiqlangan “Ilmiy-texnika jurnali” (Scientific – Technical Journal FerPI)ning Farg‘ona Politexnika Institutida chop etilgan ilmiy va texnik jurnali hisoblanadi. Jurnalda fundamental va texnika fanlari bo‘yicha so‘nggi ilmiy natijalarga oid maqolalar, qisqa xabarlar o‘zbek, rus va ingliz tillarida chop etiladi. Unda fizika-matematika, mexanika, qurilish, energetika, elektrotexnika, elektron qurilmalar va axborot texnologiyalari, kimyoviy texnologiya va ekologiya, ijtimoiy-iqtisodiy fanlar kabi keng qamrovli yo‘nalishlar bo‘yicha tadqiqotlar o‘rin olgan. Maqolalarda yangi texnologiyalar, ilmiy yangiliklar va amaliyotda qo‘llaniladigan uslublar yoritilgan.
Ushbu maqola Au-Pt-n-n+-GaAs Shottki diodlarining tuzilmalarini faol ishlov berish orqali degradatsiyasi natijasida yuzaga keladigan effektlarni o'rganadi. Tadqiqot mikroto'lqinli nurlanish va uzoq muddatli termal ishlov berishning Pt-GaAs interfeysi va Shottki kontakti bar'er xususiyatlariga ta'sirini tahlil qiladi. Maqolada ushbu ta'sirlar natijasida bar'er parametrlarining yomonlashishi, xususan, bar'er balandligining pasayishi va ideallik koeffitsientining oshishi haqida ma'lumot berilgan. Tadqiqot natijalari Au atomlarining GaAs ichiga kirib borishi va dislocations hosil bo'lishi mumkinligini ko'rsatadi, bu esa Shottki bar'erining degradatsiyasiga olib keladi.