Ushbu kitob yarimo'tkazgichlar fizikasi, texnologiyasi va ularning xossalarini o'rganishga bag'ishlangan. Unda, xususan, pSi-n(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y geterostrukturalarining olinishi, ularning elektr va optik xarakteristikalari batafsil ko'rib chiqilgan. Materialshunoslik va optoelektronika sohasidagi tadqiqotchilar uchun foydali qo'llanma.
Maqolada n-GaP-n+-(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y geterostrukturalarining elektroluminessensiyasi bo'yicha olib borilgan tadqiqotlarning eksperimental natijalari keltirilgan. Asosiy komponent sifatida keng zonali yarimo'tkazgich ZnSe tanlangan. Ushbu materiallarning spektral diapazoni va xususiyatlari ko'rib chiqilgan. Shuningdek, turli xil qo'llanilish sohalari, jumladan, infraqizil va ko'rinadigan spektr sohalarida ishlaydigan optoelektron qurilmalar ishlab chiqish uchun potentsial imkoniyatlari o'rganilgan.
Ushbu dissertatsiya ishida n-(GaAs)-p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y geterotizilmalarining tuzilmaviy xususiyatlari, elektrofizik va fotoelektrik xossalari tadqiq qilingan. Tadqiqot ishi uchun zarur bo'lgan nazariy va eksperimental materiallar tahlil qilingan hamda yangi yarimo'tkazgichli material sifatida bunday geterotizilmalarning salohiyati ko'rsatilgan.
Ushbu dissertatsiya avtoreferati yarimoʻtkazgichli materialshunoslik va mikroelektronika sohasidagi tadqiqotlarni oʻz ichiga oladi. Asosiy e'tibor GaAs-Ge qattiq qorishmalarining tuzilishi, olinish texnologiyalari va ularning fizik xossalarini oʻrganishga qaratilgan. Tadqiqotda yarimoʻtkazgichli nanoobʼyektlar, xususan, kvant nuqtalari va kvant oʻralari hosil qilish usullari, ularning rentgenografik, elektron mikroskopik va fotoelektrik xususiyatlari oʻrganilgan. Xususan, n-GaAs-p-(GaAs)1-x(Ge2)x geterotuzilmalarining voltamper va volt-emkost xarakteristikalari hamda fotovoltaik xossalari tadqiq qilingan. Tadqiqot natijalari zamonaviy yarimoʻtkazgichli qurilmalar va optoelektronika sohasida qoʻllanmalarga ega.
Ushbu bitiruv malakaviy ishi "Arsenid galliy taglikka o'stirigan (GaAs)1-x(ZnSe)x qattiq qotishmasining elektrofilzix xossalari gamma nurilanish ta'siri" mavzusiga bag'ishlangan. Ishda yangi yarim o'tkazgich materialni o'stirish texnologiyasi va uning tuzilishi, elektrofilzix xossalari o'rganilgan. Ishda mazkur materialning gamma nurilishi ta'sirida qanday o'zgarishlar sodir bo'lishi tadqiq etilgan.
Ushbu bitiruv malakaviy ishi yarimo'tkazgich moddalarning fizik xossalarini o'rganishga bag'ishlangan. Ishda, xususan, pSi - n(Si2)1-x(ZnSe)x geterostrukturaning volt-amper xarakteristikasini o'rganishga e'tibor qaratilgan. Shuningdek, epitaksial o'stirish usullari, yarimo'tkazgichli birikmalar olinishi texnologiyasi va kremniy asosidagi materiallarning xususiyatlari ham ko'rib chiqilgan.
Qisqacha mazmun mavjud emas.
Ushbu kitob yarimo'tkazgichlar va ular asosida yaratilgan geterostrukturalarning fizik xossalarini o'rganishga bag'ishlangan. Unda yarimo'tkazgich materiallarning tuzilishi, xossalari, elektr o'tkazuvchanligi, xususan (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qotishmasining xususiyatlari chuqur tahlil qilingan. Shuningdek, turli xil qatlamlarni o'stirish texnologiyalari va ularning elektrofizik tabiatini o'rganish masalalari yoritilgan. Kitob yakunida olingan natijalar xulosalanib, amaliyotda qo'llash istiqbollari ko'rsatilgan.
Ushbu dissertatsiya tadqiqoti yarimoʻtkazgichlar fizikasi va yangi yuqori sifatli, yupqa plyonkali materiallarni olish texnologiyalari sohasidagi nazariy va eksperimental tadqiqotlarga bag'ishlangan. Unda Si1-x-yGexSny, (Ge2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y, (Si2)1-x(GaP)x kabi murakkab yarimoʻtkazgichli qattiq qorishmalarni suyuqlanma eritmadan olishning fizik-kimyoviy xususiyatlari va ularning strukturaviy xossalari tadqiq etilgan. Tadqiqotda bir qator yangi usullar va texnologiyalar taklif etilgan bo'lib, ular asosida olingan materiallar fotoelektrik va optoelektronik qurilmalarda qoʻllanilishi mumkin.
Ushbu hujjat - fizika-matematika fanlari nomzodi ilmiy darajasini olish uchun taqdim etilgan dissertatsiya avtoreferati bo'lib, yarimo'tkazgichlar fizikasiga oid tadqiqot natijalarini o'z ichiga oladi. Unda arsenidgalliy asosidagi tuzilmalarning fotoelektrik xossalari, xususan, to'g'ri va teskari ulangan to'siqlarga ega bo'lgan tuzilmalardagi hodisalar o'rganilgan. Avtoreferat tadqiqotning dolzarbligi, maqsad va vazifalari, ilmiy yangiliklari, amaliy ahamiyati, himoyaga olib chiqiladigan asosiy qoidalar, tadqiqot metodlari va olingan natijalarni qisqacha bayon qiladi. Shuningdek, dissertatsiya tuzilishi, hajmi va nashr qilingan ishlar ro'yxati keltirilgan.