Development of highly sensitive chemi- cal sensors for methane detection and monitoring
Qisqacha mazmun mavjud emas.
Qisqacha mazmun mavjud emas.
Ushbu maqola maydon effektli tranzistor asosida ko'p funktsiyali sensorning fizik-texnologik jihatlarini ko'rib chiqadi. Unda tashqi ta'sirlarga sezgirlikni ta'minlash mezonlari, drayv-darvoza kuchlanishi bilan kanalning kamayishi rejimida sezgirlik yuqori ekanligi ko'rsatilgan. Asosiy so'zlar: maydon effektli tranzistor, pinch-off kuchlanishi, fotosensitivlik, kanal qalinligi.
Ushbu kitob yarim o'tkazgichli detektorlar, xususan litiy diffuziyasi va ion dreyfi orqali hosil qilingan p-i-n strukturalari hamda aSi-Si(Li) geterostrukturalarining elektrofizik xususiyatlariga bag'ishlangan. Unda detektorlarning chegaralari va hajmli zaryad sohasining ta'siri o'rganilgan. Asosiy maqsad yuqori samarali detektorlar yaratish va ularning ish faoliyatini ta'minlovchi fizik mexanizmlarni tushunishdir.
Ushbu kitob O'zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi Fizika-texnika instituti olimi Saymbetov Axmet Kuanishbaevichning dissertatsiyasi bo'lib, unda yarimo'tkazgichli detektorlar, xususan, kremniy-litiyli detektorlarning elektrofizik xususiyatlariga bo'linish chegarasi va hajmiy zaryad sohasining ta'siri o'rganilgan. Dissertatsiya katta o'lchamdagi yuqori samaradorlikka ega detektorlar yaratish masalalariga bag'ishlangan.
Ushbu dissertatsiya ishi yarimo‘tkazgichli detektorlar elektro-fizik xususiyatlariga ta’sir etuvchi omillarni o‘rganishga bag‘ishlangan. Ishda detektorning ish sohasidagi hajm zaryadining taqsimlanishi, geterostruktura hosil qilishdagi bo‘linish chegarasi kabi omillarning detektor xarakteristikalariga ta’siri tadqiq etilgan. Si(Li) va aSi-Si(Li) asosidagi detektor strukturalar yaratish texnologiyalari ishlab chiqilgan, ularning elektro-fizik va radio-metrik xususiyatlari o‘rganilgan. Shuningdek, detektorlarda fotoo‘tkazuvchanlik jarayonlari va zaryad tashuvchilarning harakati tahlil qilingan.
Dissertatsiya yadro fizikasining fundamental va amaliy masalalarini hal etishda qo'llaniladigan yarimo'tkazgichli detektorlarning elektrofizik xususiyatlariga bo'linish chegarasi va kengaytirilgan soha zaryadining ta'sirini o'rganishga bag'ishlangan. Unda Si(Li) p-i-n va aSi-Si(Li) tuzilmalarini yaratish texnologiyasi, ularning xarakteristikalari va ishlash mexanizmlari tahlil qilinadi.
Ushbu kitob yarimo'tkazgichli detektorlar, xususan, litiy diffuziyasi va litiy ionlari dreyfi asosida tayyorlangan kremniyli (Si(Li)) p-i-n va aSi-Si(Li) strukturalarining elektrofizik xususiyatlariga bag'ishlangan. Kitobda detektorlarning chegaralari va hajm zaryad sohasining ularning ishlashiga ta'siri o'rganiladi. Materialshunoslik va texnologik jarayonlarning optimallashtirilishi detektorlarning samaradorligini oshirish uchun muhimligi ta'kidlangan. Shuningdek, strukturalarning xususiyatlaridagi anomaliyalar, masalan, fotokuchlanishning relaksatsiya jarayonlaridagi "chuqur" effekti ham tahlil qilingan. Kitob yadro fizikasida qo'llaniladigan yarimo'tkazgichli detektorlarni yaratish va takomillashtirish bilan shug'ullanuvchi mutaxassislar uchun foydali bo'lishi mumkin.
Ushbu kitob yarimo'tkazgichli detektorlar sohasiga oid bo'lib, unda Si(Li) p-i-n va aSi-Si(Li) strukturalarining elektrofizik xususiyatlariga bo'linish chegarasi va hajmiy zaryad sohasining ta'siri o'rganilgan. Kitobda detektorlarning optimal xususiyatlarini shakllantirish, yangi fizik mexanizmlarni tadqiq qilish, shuningdek, amaliyotda qo'llash imkoniyatlari ko'rib chiqilgan.
Ushbu hujjat Oʻzbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi Fizika-texnika instituti tomonidan tayyorlangan boʻlib, yarimoʻtkazgichli detektorlar va ularning elektrofizik xususiyatlariga bagʻishlangan. Unda Saymbetov Axmet Kuanishbayevichning dissertatsiya ishi materiallari keltirilgan. Asosiy eʼtibor detektorli tuzilmalarning chegaralari va hajm zaryad sohasining elektrofizik xususiyatlarga taʼsirini oʻrganishga qaratilgan. Dissertatsiyada kremniy asosidagi detektorlar, ularni ishlab chiqarish texnologiyalari va xarakteristikalari, shuningdek, radiatsion nurlanishni aniqlash sohasidagi qoʻllanilishi muhokama qilinadi.
Ushbu kitob yarimo'tkazgichli detektorlar sohasiga oid ilmiy tadqiqot bo'lib, unda detektorli strukturalarning elektrofizik xususiyatlariga bo'linish chegarasi va hajmiy zaryad sohasining ta'siri o'rganilgan. Asosiy e'tibor katta o'lchamdagi Si(Li) p-i-n va aSi-Si(Li) detektorli strukturalarni ishlab chiqarish texnologiyasiga qaratilgan. Kitobda materialshunoslik, texnologik jarayonlar, detektorlarning ishlash mexanizmlari va ularning energetik spektrlari tahlil qilingan. Tadqiqot natijalari yarimo'tkazgichli asboblar sohasida yangi ishlanmalarni yaratishga yordam beradi hamda yadro fizikasiga oid fundamental va amaliy masalalarni yechishda qo'llanilishi mumkin.