Ushbu bitiruv malakaviy ishi yarimo'tkazgich moddalarning fizik xossalarini o'rganishga bag'ishlangan. Ishda, xususan, pSi - n(Si2)1-x(ZnSe)x geterostrukturaning volt-amper xarakteristikasini o'rganishga e'tibor qaratilgan. Shuningdek, epitaksial o'stirish usullari, yarimo'tkazgichli birikmalar olinishi texnologiyasi va kremniy asosidagi materiallarning xususiyatlari ham ko'rib chiqilgan.
Qisqacha mazmun mavjud emas.
Ushbu kitob yarimo'tkazgichlar fizikasiga bag'ishlangan bo'lib, unda PSI - N(SI2)1-x(ZNSE)x geterostrukturasining volt-amper xarakteristikasini o'rganish, kremniy va rux selen moddalarining elektrofizik xossalari, epitaksial o'stirish usullari va epitaksial qatlamlar olish qurilmalari kabi mavzular yoritilgan. Kitobda elektron-kovak o'tish hodisalari, p-n o'tish turlari, epitaksial o'stirishning asosiy usullari va molekulyar-nur epitaksiyasi, gaz fazali epitaksiya, suyuq fazali epitaksiya kabi jarayonlar batafsil tahlil qilingan. Shuningdek, epitaksial qatlamlar olish qurilmalarining tuzilishi va ishlash prinsiplari ham ko'rib chiqilgan.
Ushbu kitob yarimo'tkazgichlar va ular asosida yaratilgan geterostrukturalarning fizik xossalarini o'rganishga bag'ishlangan. Unda yarimo'tkazgich materiallarning tuzilishi, xossalari, elektr o'tkazuvchanligi, xususan (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qotishmasining xususiyatlari chuqur tahlil qilingan. Shuningdek, turli xil qatlamlarni o'stirish texnologiyalari va ularning elektrofizik tabiatini o'rganish masalalari yoritilgan. Kitob yakunida olingan natijalar xulosalanib, amaliyotda qo'llash istiqbollari ko'rsatilgan.
Ushbu kitob yarimo'tkazgichlar fizikasi, texnologiyasi va ularning xossalarini o'rganishga bag'ishlangan. Unda, xususan, pSi-n(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y geterostrukturalarining olinishi, ularning elektr va optik xarakteristikalari batafsil ko'rib chiqilgan. Materialshunoslik va optoelektronika sohasidagi tadqiqotchilar uchun foydali qo'llanma.
Maqolada n-GaP-n+-(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y geterostrukturalarining elektroluminessensiyasi bo'yicha olib borilgan tadqiqotlarning eksperimental natijalari keltirilgan. Asosiy komponent sifatida keng zonali yarimo'tkazgich ZnSe tanlangan. Ushbu materiallarning spektral diapazoni va xususiyatlari ko'rib chiqilgan. Shuningdek, turli xil qo'llanilish sohalari, jumladan, infraqizil va ko'rinadigan spektr sohalarida ishlaydigan optoelektron qurilmalar ishlab chiqish uchun potentsial imkoniyatlari o'rganilgan.
Ushbu dissertatsiya tadqiqoti yarimoʻtkazgichlar fizikasi va yangi yuqori sifatli, yupqa plyonkali materiallarni olish texnologiyalari sohasidagi nazariy va eksperimental tadqiqotlarga bag'ishlangan. Unda Si1-x-yGexSny, (Ge2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y, (Si2)1-x(GaP)x kabi murakkab yarimoʻtkazgichli qattiq qorishmalarni suyuqlanma eritmadan olishning fizik-kimyoviy xususiyatlari va ularning strukturaviy xossalari tadqiq etilgan. Tadqiqotda bir qator yangi usullar va texnologiyalar taklif etilgan bo'lib, ular asosida olingan materiallar fotoelektrik va optoelektronik qurilmalarda qoʻllanilishi mumkin.
Ushbu dissertatsiya ishida n-(GaAs)-p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y geterotizilmalarining tuzilmaviy xususiyatlari, elektrofizik va fotoelektrik xossalari tadqiq qilingan. Tadqiqot ishi uchun zarur bo'lgan nazariy va eksperimental materiallar tahlil qilingan hamda yangi yarimo'tkazgichli material sifatida bunday geterotizilmalarning salohiyati ko'rsatilgan.
Ushbu maqola ion-implantatsiya qilingan yarimo'tkazgichlar va ularning elektron tuzilishi haqida ma'lumot beradi. Tadqiqotda Si, GaAs va CdTe kabi yarimo'tkazgichlarga ion implantatsiyasi qo'llanilgan. Maqolada ion implantatsiyasining yarimo'tkazgichlarning optik va tuzilishi xususiyatlariga ta'siri o'rganilgan. Xususan, Si ning yuzasi NaNiSi2 bilan qoplangan namunalarning tuzilishi va elektron xususiyatlari tadqiq qilingan. Shuningdek, GaAs va CdTe yarimo'tkazgichlariga Ba+ ionlari implantatsiyasi natijasida hosil bo'lgan CdMeTe/CdTe tuzilmalari o'rganilgan.
Ushbu maqola kremniy yarimo'tkazgichlarida binar klasterlarni shakllantirish va ularning fotoelektr xossalarini tadqiq qilishga bag'ishlangan. Tadqiqotda, turli xil qo'shimcha atomlarning (III va V, II va VI, VI guruhlarning o'tish elementlari) kremniy panjarasiga kirib, hajmiy nanostrukturali yarimo'tkazgichlarni shakllantirish va ularning keng spektrli yorug'likni yutish qobiliyatini oshirish imkoniyatlari ko'rsatib berilgan. Binar klasterlarning Sі₂Ga-Sb+, Sі₂Ni-Se++, Sі₂Zn-Se++ kabi turlari va ularning tuzilishi sxematik ravishda tasvirlangan. Maqolada, shuningdek, bunday materiallar asosida yangi avlod yuqori sezgirlikdagi fotopriyomniklar va optoelektronik moslamalar yaratish istiqbollari ham tilga olingan.