Bosh sahifa>Qidiruv natijalari
🔍

PSI - N(SI2)1-Х(ZNSE)Х гетероструктуранинг вольтампер характеристикасини ўрганиш

Ushbu kitob yarimo'tkazgichlar fizikasiga bag'ishlangan bo'lib, unda PSI - N(SI2)1-x(ZNSE)x geterostrukturasining volt-amper xarakteristikasini o'rganish, kremniy va rux selen moddalarining elektrofizik xossalari, epitaksial o'stirish usullari va epitaksial qatlamlar olish qurilmalari kabi mavzular yoritilgan. Kitobda elektron-kovak o'tish hodisalari, p-n o'tish turlari, epitaksial o'stirishning asosiy usullari va molekulyar-nur epitaksiyasi, gaz fazali epitaksiya, suyuq fazali epitaksiya kabi jarayonlar batafsil tahlil qilingan. Shuningdek, epitaksial qatlamlar olish qurilmalarining tuzilishi va ishlash prinsiplari ham ko'rib chiqilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

pSi - n(Si2)1-х(ZnSe)х гетероструктуранинг вольтампер характеристикасини ўрганиш

Ushbu bitiruv malakaviy ishi yarimo'tkazgich moddalarning fizik xossalarini o'rganishga bag'ishlangan. Ishda, xususan, pSi - n(Si2)1-x(ZnSe)x geterostrukturaning volt-amper xarakteristikasini o'rganishga e'tibor qaratilgan. Shuningdek, epitaksial o'stirish usullari, yarimo'tkazgichli birikmalar olinishi texnologiyasi va kremniy asosidagi materiallarning xususiyatlari ham ko'rib chiqilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

pSi-n(ZnSe)1-x-Y(Si2)x(GaP)y гетероструктурасининг вольт-ампер характеристикаси

Ushbu kitob yarimo'tkazgichlar va ular asosida yaratilgan geterostrukturalarning fizik xossalarini o'rganishga bag'ishlangan. Unda yarimo'tkazgich materiallarning tuzilishi, xossalari, elektr o'tkazuvchanligi, xususan (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qotishmasining xususiyatlari chuqur tahlil qilingan. Shuningdek, turli xil qatlamlarni o'stirish texnologiyalari va ularning elektrofizik tabiatini o'rganish masalalari yoritilgan. Kitob yakunida olingan natijalar xulosalanib, amaliyotda qo'llash istiqbollari ko'rsatilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 79.5%

Исследование электролюминесценции твердого раствора N-GAP-N+-(ZNSE)i.X-Y(Sl2)x(GAP)YrETEPOCTPyKTyP

Maqolada n-GaP-n+-(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y geterostrukturalarining elektroluminessensiyasi bo'yicha olib borilgan tadqiqotlarning eksperimental natijalari keltirilgan. Asosiy komponent sifatida keng zonali yarimo'tkazgich ZnSe tanlangan. Ushbu materiallarning spektral diapazoni va xususiyatlari ko'rib chiqilgan. Shuningdek, turli xil qo'llanilish sohalari, jumladan, infraqizil va ko'rinadigan spektr sohalarida ishlaydigan optoelektron qurilmalar ishlab chiqish uchun potentsial imkoniyatlari o'rganilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 78.1%

Электронная структура поверхности полупроводников модифицированных ионной бомбардировкой

Ushbu maqola ion-implantatsiya qilingan yarimo'tkazgichlar va ularning elektron tuzilishi haqida ma'lumot beradi. Tadqiqotda Si, GaAs va CdTe kabi yarimo'tkazgichlarga ion implantatsiyasi qo'llanilgan. Maqolada ion implantatsiyasining yarimo'tkazgichlarning optik va tuzilishi xususiyatlariga ta'siri o'rganilgan. Xususan, Si ning yuzasi NaNiSi2 bilan qoplangan namunalarning tuzilishi va elektron xususiyatlari tadqiq qilingan. Shuningdek, GaAs va CdTe yarimo'tkazgichlariga Ba+ ionlari implantatsiyasi natijasida hosil bo'lgan CdMeTe/CdTe tuzilmalari o'rganilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 75.2%

Si1-x-yGexSny, (Ge2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y, (Si2)1-x(GaP)x qattiq qorishmalarini suyuqlanma eritmadan olishning fizik-kimyoviy xususiyatlari va ularning strukturaviy xossalari

Ushbu dissertatsiya tadqiqoti yarimoʻtkazgichlar fizikasi va yangi yuqori sifatli, yupqa plyonkali materiallarni olish texnologiyalari sohasidagi nazariy va eksperimental tadqiqotlarga bag'ishlangan. Unda Si1-x-yGexSny, (Ge2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y, (Si2)1-x(GaP)x kabi murakkab yarimoʻtkazgichli qattiq qorishmalarni suyuqlanma eritmadan olishning fizik-kimyoviy xususiyatlari va ularning strukturaviy xossalari tadqiq etilgan. Tadqiqotda bir qator yangi usullar va texnologiyalar taklif etilgan bo'lib, ular asosida olingan materiallar fotoelektrik va optoelektronik qurilmalarda qoʻllanilishi mumkin.

🔑 Kalit soʻz🎯 75.0%

Наноразмерные структуры и ионноиплатированных пленках Si иGaAS

Ushbu monografiyada ultratovushli plenkalar va nanokristallar bilan ishlashning turli usullari, jumladan, ion implantatsiyasi, termodiffuziya, lazerli qayta ishlash va boshqa texnologiyalar, shuningdek, ularning xossalari va qo'llanilishi batafsil ko'rib chiqiladi. Kitobda silikon va gallium arsenid asosidagi nanostrukturalar, ularning morfologiyasi, elektr va optik xossalari, shuningdek, ulardan foydalanishning istiqbollari yoritilgan. Ishlanmalar va nazariy tahlillar natijalariga asoslanib, materiallar va nanostrukturalarni tayyorlashning optimal usullari va ularning xususiyatlarini nazorat qilishning asosiy usullari ko'rsatilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 73.9%

n-(GaAs)-р-(GaAs)1-х-у(Ge2)х(ZnSe)у гетеротузилмасининг тузилмавий хусусиятлари, электрофизик ва фотоэлектрик хоссалари

Ushbu dissertatsiya ishida n-(GaAs)-p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y geterotizilmalarining tuzilmaviy xususiyatlari, elektrofizik va fotoelektrik xossalari tadqiq qilingan. Tadqiqot ishi uchun zarur bo'lgan nazariy va eksperimental materiallar tahlil qilingan hamda yangi yarimo'tkazgichli material sifatida bunday geterotizilmalarning salohiyati ko'rsatilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 73.8%